Способ выращивания монокристаллов Ga2O3 из раствора в расплаве

Евгений Николаевич Галашов (автор), Арсений Евгеньевич Галашов (автор), Виталий Анатольевич Московских (автор)

Результат исследования: Патенты/Свидетельства о регистрациисвидетельство о регистрации ноу-хау

Язык оригиналарусский
Номер патента33
Дата приоритета03.12.2019
СостояниеОпубликовано - 17 дек 2019

Ключевые слова

  • РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ
  • РАСТВОР-РАСПЛАВНАЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ
  • ОКСИД ГАЛЛИЯ

ГРНТИ

  • 31.15.17 Кристаллохимия и кристаллография

Цитировать