Surface potential response from GaP nanowires synthesized with mixed crystal phases

Переведенное название: Поверхностный электрический потенциал GaP нанопроводов со смешанным кристаллическим составом

B. Kyeyune, E. Soboleva, P. Geydt, V. Khayrudinov, P. Alekseev, H. Lipsanen, E. Lähderanta

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференции

Аннотация

In this work, we investigate variations of surface potentials along a single gallium phosphide (GaP) nanowire (NW) synthesized with a mixed crystal phase along the growth direction. GaP NWs synthesized with both wurtzite (WZ) and zincblende (ZB) phases were studied. The measurements were performed on a standard Atomic Force Microscopy (AFM) set-up equipped with Kelvin Probe Force Microscopy (KPFM) module in PeakForce Tapping Mode. KPFM Measurements from two structures were analyzed. Variations of surface poten-tials were observed in a single GaP NW with WZ/ZB segments. An average difference in surface potential was 55±11 mV. This is explained by different crystal structures along the NW. The work expands the understanding of crystal structure-dependent electrical transport properties of GaP NWs.

Переведенное названиеПоверхностный электрический потенциал GaP нанопроводов со смешанным кристаллическим составом
Язык оригиналаанглийский
Номер статьи044018
Число страниц6
ЖурналJournal of Physics: Conference Series
Том1400
Номер выпуска4
DOI
СостояниеОпубликовано - 11 дек 2019
СобытиеInternational Conference PhysicA.SPb 2019 - Saint Petersburg, Российская Федерация
Продолжительность: 22 окт 201924 окт 2019

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Поверхностный электрический потенциал GaP нанопроводов со смешанным кристаллическим составом». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать