Особенности формирования субмикронных частиц Ge и Si методом обратной литографии

Результат исследования: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаярецензирование

7 Загрузки (Pure)

Аннотация

Нами разрабатывается метод получения упорядоченного массива диэлектрических частиц без использования процесса травления. Метод основан на применении электронной литографии с удалением лишнего материала «взрывом», то есть методом обратной литографии. Нами получены массивы частиц Ge и Si с размерами от 100 до 400 нм на подложках кремния. Установлено, что форма частиц определяется как наклоном стенок отверстий в электронном резисте, так и направлением потока осаждаемого материала.
Язык оригиналарусский
Название основной публикацииНанофизика и наноэлектроника
Подзаголовок основной публикацииМатериалы XXV Международного симпозиума
Место публикацииНижний Новгород
ИздательИздательство Нижегородского госуниверситета
Страницы885-886
Число страниц2
Том2
СостояниеОпубликовано - 2021

Предметные области OECD FOS+WOS

  • 1.03 ФИЗИЧЕСКИЕ НАУКИ И АСТРОНОМИЯ

Цитировать