Features of Optical Gain in Heavily Doped Al xGa1 –xN:Si-Structures

P. A. Bokhan; K. S. Zhuravlev; D. E. Zakrevsky; T. V. Malin; I. V. Osinnykh; N. V. Fateev

doi:10.1134/S1063785021070178

Features of Optical Gain in Heavily Doped Al_xGa_{1 –}_xN:Si-Structures

Переведенное название: Особенности оптического усиления в сильнолегированных AlxGa1-xN:Si-структурах

P. A. Bokhan, K. S. Zhuravlev, D. E. Zakrevsky, T. V. Malin, I. V. Osinnykh, N. V. Fateev

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

Аннотация

Экспериментально исследовано временное поведение интенсивностей люминесценции и стимулированного излучения в сильнолегированных структурах Al0.65Ga0.35N и Al0.74Ga0.26N при импульсном оптическом возбуждении. Результаты продемонстрировали, что временное затухание интенсивностей люминесценции и стимулированного излучения для различных длин волн излучаемого спектра и мощностей оптической накачки состоит по крайней мере из двух компонент: быстрой и медленной. Быстрые компоненты с экспоненциальным временным затуханием связаны с излучательной рекомбинацией неравновесных электронов на глубоких акцепторах, а медленные --- с рекомбинацией донорно-акцепторных пар. Ключевые слова: сильнолегированные структуры AlxGa1-xN, люминесценция, стимулированная эмиссия, оптическое усиление.

Переведенное название	Особенности оптического усиления в сильнолегированных AlxGa1-xN:Si-структурах
Язык оригинала	английский
Страницы (с-по)	692-695
Число страниц	4
Журнал	Technical Physics Letters
Том	47
Номер выпуска	9
DOI	https://doi.org/10.1134/S1063785021070178
Состояние	Опубликовано - сент. 2021

Предметные области OECD FOS+WOS

1.03 ФИЗИЧЕСКИЕ НАУКИ И АСТРОНОМИЯ

ГРНТИ

29 ФИЗИКА

Доступ к документу

10.1134/S1063785021070178

Другие файлы и ссылки

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Особенности оптического усиления в сильнолегированных AlxGa1-xN:Si-структурах». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать

@article{df460ebcb090423698ecda56fd47859e,

title = "Features of Optical Gain in Heavily Doped Al xGa1 –xN:Si-Structures",

abstract = "The temporal behavior of the luminescence and stimulated radiation intensities in the heavily doped structures Al0.65Ga0.35N and Al0.74Ga0.26N under pulsed optical excitation has been experimentally studied. The results have demonstrated that the temporal decay of the luminescence and stimulated radiation intensities for different wavelengths of the emitted spectrum and optical pumping intensities consists of at least two components: fast and slow. The fast components with the exponential time decay are associated with the radiative recombination of nonequilibrium electrons at deep acceptors and the slow ones are associated with the recombination of donor–acceptor pairs.",

keywords = "heavily doped AlGaN structures, luminescence, optical gain, stimulated emission",

author = "Bokhan, {P. A.} and Zhuravlev, {K. S.} and Zakrevsky, {D. E.} and Malin, {T. V.} and Osinnykh, {I. V.} and Fateev, {N. V.}",

note = "This work was carried out within the framework of a state order to the Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences. Publisher Copyright: {\textcopyright} 2021, Pleiades Publishing, Ltd.",

year = "2021",

month = sep,

doi = "10.1134/S1063785021070178",

language = "English",

volume = "47",

pages = "692--695",

journal = "Technical Physics Letters",

issn = "1063-7850",

publisher = "PLEIADES PUBLISHING INC",

number = "9",

}

Features of Optical Gain in Heavily Doped Al_xGa_{1 –}_xN:Si-Structures. / Bokhan, P. A.; Zhuravlev, K. S.; Zakrevsky, D. E. и др.

В: Technical Physics Letters, Том 47, № 9, 09.2021, стр. 692-695.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

TY - JOUR

T1 - Features of Optical Gain in Heavily Doped Al xGa1 –xN:Si-Structures

AU - Bokhan, P. A.

AU - Zhuravlev, K. S.

AU - Zakrevsky, D. E.

AU - Malin, T. V.

AU - Osinnykh, I. V.

AU - Fateev, N. V.

N1 - This work was carried out within the framework of a state order to the Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences. Publisher Copyright: © 2021, Pleiades Publishing, Ltd.

PY - 2021/9

Y1 - 2021/9

N2 - The temporal behavior of the luminescence and stimulated radiation intensities in the heavily doped structures Al0.65Ga0.35N and Al0.74Ga0.26N under pulsed optical excitation has been experimentally studied. The results have demonstrated that the temporal decay of the luminescence and stimulated radiation intensities for different wavelengths of the emitted spectrum and optical pumping intensities consists of at least two components: fast and slow. The fast components with the exponential time decay are associated with the radiative recombination of nonequilibrium electrons at deep acceptors and the slow ones are associated with the recombination of donor–acceptor pairs.

AB - The temporal behavior of the luminescence and stimulated radiation intensities in the heavily doped structures Al0.65Ga0.35N and Al0.74Ga0.26N under pulsed optical excitation has been experimentally studied. The results have demonstrated that the temporal decay of the luminescence and stimulated radiation intensities for different wavelengths of the emitted spectrum and optical pumping intensities consists of at least two components: fast and slow. The fast components with the exponential time decay are associated with the radiative recombination of nonequilibrium electrons at deep acceptors and the slow ones are associated with the recombination of donor–acceptor pairs.

KW - heavily doped AlGaN structures

KW - luminescence

KW - optical gain

KW - stimulated emission

UR - http://www.scopus.com/inward/record.url?scp=85121490927&partnerID=8YFLogxK

UR - https://www.elibrary.ru/item.asp?id=47545081

U2 - 10.1134/S1063785021070178

DO - 10.1134/S1063785021070178

M3 - Article

AN - SCOPUS:85121490927

VL - 47

SP - 692

EP - 695

JO - Technical Physics Letters

JF - Technical Physics Letters

SN - 1063-7850

IS - 9

ER -