Features of Optical Gain in Heavily Doped Al xGa1 –xN:Si-Structures

Переведенное название: Особенности оптического усиления в сильнолегированных AlxGa1-xN:Si-структурах

P. A. Bokhan, K. S. Zhuravlev, D. E. Zakrevsky, T. V. Malin, I. V. Osinnykh, N. V. Fateev

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

Аннотация

Экспериментально исследовано временное поведение интенсивностей люминесценции и стимулированного излучения в сильнолегированных структурах Al0.65Ga0.35N и Al0.74Ga0.26N при импульсном оптическом возбуждении. Результаты продемонстрировали, что временное затухание интенсивностей люминесценции и стимулированного излучения для различных длин волн излучаемого спектра и мощностей оптической накачки состоит по крайней мере из двух компонент: быстрой и медленной. Быстрые компоненты с экспоненциальным временным затуханием связаны с излучательной рекомбинацией неравновесных электронов на глубоких акцепторах, а медленные --- с рекомбинацией донорно-акцепторных пар. Ключевые слова: сильнолегированные структуры AlxGa1-xN, люминесценция, стимулированная эмиссия, оптическое усиление.
Переведенное названиеОсобенности оптического усиления в сильнолегированных AlxGa1-xN:Si-структурах
Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)692-695
Число страниц4
ЖурналTechnical Physics Letters
Том47
Номер выпуска9
DOI
СостояниеОпубликовано - сен 2021

Предметные области OECD FOS+WOS

  • 1.03 ФИЗИЧЕСКИЕ НАУКИ И АСТРОНОМИЯ

ГРНТИ

  • 29 ФИЗИКА

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Особенности оптического усиления в сильнолегированных AlxGa1-xN:Si-структурах». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать