Deposition of oxide nanostructures by nanosecond laser ablation of silicon in an oxygen-containing background gas

Переведенное название: Осаждение оксидных наноструктур наносекундной лазерной абляцией кремния в кислородсодержащем фоновом газе

A. A. Rodionov, S. V. Starinskiy, Yu G. Shukhov, A. V. Bulgakov

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

Аннотация

Методом наносекундной лазерной абляции в вакууме и фоновом газе синтезированы тонкие пленки оксида кремния различной стехиометрии. С помощью трех различных методик определена локальная степень окисления образцов. Установлено, что по мере увеличения расстояния до оси лазерного факела имеет место монотонное повышение содержания кислорода в пленках, обусловленное неоднородностью его окисления. Обнаружено значительное повышение аблируемой массы при понижении давления фоновой смеси с 60 до 20 Пa, что связано с увеличением обратного потока вещества на мишень. Проведено сравнение эффективности окисления пленок в случае нагрева на этапах синтеза и отжига уже сформированной пленки. Продемонстрировано, что составом пленок можно управлять, изменяя давление инертного газа при постоянном давлении химически активной компоненты в фоновой смеси.
Переведенное названиеОсаждение оксидных наноструктур наносекундной лазерной абляцией кремния в кислородсодержащем фоновом газе
Язык оригиналаанглийский
Номер статьи8
Страницы (с-по)549-554
Число страниц6
ЖурналThermophysics and Aeromechanics
Том28
Номер выпуска4
DOI
СостояниеОпубликовано - июл 2021

Предметные области OECD FOS+WOS

  • 2.03 МЕХАНИКА И МАШИНОСТРОЕНИЕ
  • 2.03.DT ТЕРМОДИНАМИКА

ГРНТИ

  • 29 ФИЗИКА

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Осаждение оксидных наноструктур наносекундной лазерной абляцией кремния в кислородсодержащем фоновом газе». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать