Modelling an electro-optical modulator based on a vertical p - n junction in a silicon-on-insulator structure

Переведенное название: Моделирование электрооптического модулятора на основе вертикального p–n-перехода в структуре кремний-на-изоляторе

A.V. Tsarev, R. M. Taziev

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

Аннотация

Представлены результаты численного моделирования электрооптического модулятора Маха–Цендера с применением делителей пучка на основе многомодовой интерференции в структуре кремний-на-изоляторе. Управление обеспечивается за счет эффекта обеднения в вертикальном p–n-переходе, который может быть изготовлен с помощью технологической процедуры самовыравнивания. Предложена оптимальная конструкция модулятора, согласованного с внешней 50-омной нагрузкой, для которого при величине обратного смещения –5 В и активной длине 1.7 мм возможна реализация рабочей полосы оптических частот ~50 ГГц. Предложен особый профиль легирования p–n-перехода модулятора, обеспечивающий оптическую полосу частот 30 ГГц при обратном смещении –3 В и длине модулятора 2.5 мм. Такие модуляторы могут найти применение в устройствах интегральной оптики, оптической связи и радиофотоники
Переведенное названиеМоделирование электрооптического модулятора на основе вертикального p–n-перехода в структуре кремний-на-изоляторе
Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)1036-1044
Число страниц9
ЖурналQuantum Electronics
Том49
Номер выпуска11
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 ноя 2019

ГРНТИ

  • 29 ФИЗИКА

Цитировать