Компенсированный высокоомный буфер для GaN HEMT

T. V. Malin, D. S. Milakhin, Ivan A. Aleksandrov, V. E. Zemlyakov, D. Yu Protasov, A. S. Kozhuhov, B. Ya Ber, V. G. Mansurov, Константин Сергеевич Журавлев

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхтезисы

Аннотация

В данной работе продемонстрирована возможность получения методом аммиачной молекулярно лучевой эпитаксией намеренно нелегированных высокоомных буферных слоёв GaN в AlGaN/GaN гетероструктурах с высокой подвижностью электронов для транзисторов путём оптимизации ростовых условий на основании расчётов концентраций фоновых примесей и точечных дефектов для различных соотношений потоков галлия и аммиака
Язык оригиналарусский
Страницы (с-по)44-48
Число страниц5
ЖурналЭлектроника и микроэлектроника СВЧ»
Том1
Номер выпуска1
СостояниеОпубликовано - 2019

ГРНТИ

  • 29 ФИЗИКА

Цитировать