Diffusion of Germanium from a Buried SiO2 Layer and Formation of a SiGe Phase

Переведенное название: Диффузия германия из захороненного слоя SiO2 и формирование фазы SiGe

I. E. Tyschenko, R. A. Khmelnitsky, V. V. Saraykin, V. A. Volodin, V. P. Popov

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

Аннотация

Изучена диффузия Ge из захороненного слоя SiO2 структуры кремний-на-изоляторе в зависимости от температуры отжига. Показано, что при температуре отжига ниже 900oC практически весь Ge сосредоточен в области имплантации в слое SiO2. После отжига при температуре 1100oC миграция ионно-имплантированного Ge сопровождается несколькими процессами: диффузией в SiO2, накоплением на границах раздела Si/SiO2, диффузией в кремний и испарением из кремния. При 1100oC диффузия Ge из SiO2 к границе сращивания структуры кремний-на-изоляторе происходит с коэффициентом диффузии ~ 2·10-15 см2/с, что на 2 порядка величины выше его равновесного значения. После отжига при 1100oC, в зависимости от толщины слоя кремния, обнаружено формирование фазы Ge или SiGe.
Переведенное названиеДиффузия германия из захороненного слоя SiO2 и формирование фазы SiGe
Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)215-222
Число страниц8
ЖурналSemiconductors
Том56
Номер выпуска3
DOI
СостояниеОпубликовано - мар 2022

Предметные области OECD FOS+WOS

  • 2.05 ТЕХНОЛОГИЯ МАТЕРИАЛОВ
  • 1.03 ФИЗИЧЕСКИЕ НАУКИ И АСТРОНОМИЯ

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Диффузия германия из захороненного слоя SiO2 и формирование фазы SiGe». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать