Диффузия атомов In в пленках SiO2, имплантированных ионами As+

I. E. Tyschenko, M. Voelskow, Чжунбинь Сы, V. P. Popov

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

Аннотация

Изучена диффузия атомов индия в пленках SiO2, предварительно имплантированных ионами мышьяка с разной энергией, в зависимости от температуры последующего отжига. Установлено, что диффузионные свойства индия зависят от присутствия в пленке атомов мышьяка и их энергии. Увеличение концентрации мышьяка в области средних пробегов ионов In+ предотвращает диффузию индия к поверхности SiO2 при высоких температурах отжига и стимулирует диффузию In вглубь в форме одновалентного междоузлия. Обнаруженные эффекты объяснены с точки зрения формирования пар In-As в соседних замещающих положениях в матрице SiO2. Ключевые слова: индий, мышьяк, диффузия, оксид кремния, ионная имплантация.
Переведенное названиеDiffusion of In Atoms in SiO2 Films Implanted with As+ Ions
Язык оригиналарусский
Номер статьи1
Страницы (с-по)217-223
Число страниц7
ЖурналФизика и техника полупроводников
Том55
Номер выпуска3
DOI
СостояниеОпубликовано - мар 2021

Предметные области OECD FOS+WOS

  • 1.03 ФИЗИЧЕСКИЕ НАУКИ И АСТРОНОМИЯ

ГРНТИ

  • 29 ФИЗИКА

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Диффузия атомов In в пленках SiO2, имплантированных ионами As+». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать