Impact of Co Atoms on the Electronic Structure of Bi2Te3 and MnBi2Te4 Topological Insulators

Переведенное название: Влияние атомов Co на электронную структуру топологических изоляторов Bi2Te3 и MnBi2Te4

T. P. Makarova, D. A. Estyunin, S. O. Fil’nov, D. A. Glazkova, D. A. Pudikov, A. G. Rybkin, A. A. Gogina, Z. S. Aliev, I. R. Amiraslanov, N. T. Mamedov, K. A. Kokh, O. E. Tereshchenko, A. M. Shikin, M. M. Otrokov, E. V. Chulkov, I. I. Klimovskikh

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатьярецензирование

Аннотация

Работа посвящена экспериментальному исследованию электронной структуры поверхности топологических изоляторов различной стехиометрии при адсорбции атомов Co. При помощи методов фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии изучены изменения в электронной структуре систем Bi2 Te3 и MnBi2 Te4 при напылении атомов Co при различных температурах. Предположительно, атомы Co связываются с поверхностными атомами подложки, при этом меняется положение точки Дирака. Наблюдаемые изменения связываются с возможным формированием магнитных Co-содержащих упорядоченных поверхностных сплавов.
Переведенное названиеВлияние атомов Co на электронную структуру топологических изоляторов Bi2Te3 и MnBi2Te4
Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)607-614
Число страниц8
ЖурналJournal of Experimental and Theoretical Physics
Том134
Номер выпуска5
DOI
СостояниеОпубликовано - мая 2022

Предметные области OECD FOS+WOS

  • 1.03 ФИЗИЧЕСКИЕ НАУКИ И АСТРОНОМИЯ

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Влияние атомов Co на электронную структуру топологических изоляторов Bi2Te3 и MnBi2Te4». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать