Atomic Structure and Optical Properties of CaSi₂ Layers Grown on CaF₂/Si Substrates

Проведено исследование особенностей роста, а также структурных и оптических свойств слоев CaSi2, сформированных в процессе последовательного осаждения Si и CaF2 на подложку Si(111) при одновременном облучении пучком быстрых электронов. Спектры комбинационного рассеяния света, снятые в областях воздействия электронным пучком, продемонстрировали пики, характерные для кристаллических слоев CaSi2. Исследование морфологии поверхности сформированных структур показало, что в выбранных условиях синтез слоев CaSi2 при электронном облучении происходит по двумерно-слоевому механизму. Спектры фотолюминесценции, измеренные в областях, модифицированных электронным пучком, имеют существенные отличия от спектров, снятых вне области электронного облучения. Ключевые слова: силициды кальция, фторид кальция, молекулярно-лучевая эпитаксия, электронное облучение, атомная структура, фотолюминесценция.