20142022

Результат исследований по году

Если Вы внесли какие-либо изменения в Pure, они скоро будут видимы здесь.

Личный профиль

Научные интересы

Эксперт в области комбинационного рассеяния света в полупроводниках. Область научных интересов связана с исследованием оптических свойств полупроводниковых наноструктур, в основном нанокристаллов и аморфных нанокластеров полупроводников в диэлектриках. Исследует применение диэлектрических плёнок с полупроводниковыми нанокластерами в мемристорах. 

Ключевые слова: полупроводники, диэлектрики, наноструктуры, оптические методы исследования наноструктур, мемристоры.

Неоднократно приглашался как приглашнный профессор в Университет Лотарингии (Нанси, Франция). Руководитель проектов РФФИ и РНФ. Имеет 5 патентов РФ.

Информация для аспирантов

Возможные темы для исследования

  1. Мемристоры на основе германосиликатных стёкол.

Порядок выполнения исследования

Основное место работы: главный корпус НГУ, Физический факультет, отдел АТИЦ, ЦКП "ВТАН", часть работ проводится в Лабораторном корпусе ИФП СО РАН.

Перечень действующих и планируемых проектов НИР

  1. Проект РНФ 22-19-00369 «Разработка и исследование мемристоров на основе SiNxOy и SiGexOy для памяти терабитного масштаба и нейроморфных устройств искусственного интеллекта».

Специальные требования к аспиранту

Знание основ физики твёрдого тела и физики полупроводников. Опыт экспериментальной работы желателен. Желательны навыки в программировании - Python, MathLab или другие языки.

Мотивация аспиранту (о стиле взаимодействия научного руководителя с аспирантом):  

Приветствуется склонность к самостоятельной работе, проявление инициативы, самостоятельный поиск фондов для поддержки молодых исследователей.

Образование/академическая квалификация

Доктор наук, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

… → 20 июн 2017

Кандидат наук, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

… → 1999

специалист, Новосибирский государственный университет

19841991

Внешние позиции

с.н.с., Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

1991 → …

Fingerprint

Узнайте самые подробные результаты анализа активности Владимир Алексеевич Володин. Указанные в этом разделе метки относятся к работам этого человека. Вместе они формируют уникальную картину активности.
  • 1 Аналогичные профили

Сеть

Недавнее внешнее сотрудничество на уровне страны/территории. Просмотрите подробные сведения, нажав на точки или