Нет фото Константин Сергеевич Журавлев

Журавлев Константин Сергеевич

старший научный сотрудник, Доктор физико-математических наук

20172020

Результат исследований по году

Если Вы внесли какие-либо изменения в Pure, они скоро будут видимы здесь.

Fingerprint Узнайте самые подробные результаты анализа активности Константин Сергеевич Журавлев. Указанные в этом разделе метки относятся к работам этого человека. Вместе они формируют уникальную картину активности.

  • 5 Аналогичные профили

Сеть Последние внешние коллаборации на уровне страны. Узнайте подробнее, нажав точки.

Результат исследований

  • 40 статья
  • 4 статья в сборнике материалов конференции
  • 2 статья по материалам конференции
  • 1 тезисы

AlInSb/InSb Heterostructures for IR Photodetectors Grown by Molecular-Beam Epitaxy

Sukhanov, M. A., Bakarov, A. K., Protasov, D. Y. & Zhuravlev, K. S., 1 фев 2020, В : Technical Physics Letters. 46, 2, стр. 154-157 4 стр.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

  • Diffusion in GaN/AlN superlattices: DFT and EXAFS study

    Aleksandrov, I. A., Malin, T. V., Zhuravlev, K. S., Trubina, S. V., Erenburg, S. B., Pecz, B. & Lebiadok, Y. V., 15 июн 2020, В : Applied Surface Science. 515, 7 стр., 146001.

    Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

  • 1 Цитирования (Scopus)

    Evolution of the surface states during the in situ SiN layer formation on AlN/GaN heterostructures

    Zhuravlev, K., Mansurov, V., Galitsyn, Y., Malin, T., Milakhin, D. & Zemlyakov, V., 28 мая 2020, В : Semiconductor Science and Technology. 35, 7, 6 стр., 075004.

    Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

  • Luminescence line shapes of band to deep centre and donor-acceptor transitions in AlN

    Aleksandrov, I. A. & Zhuravlev, K. S., 3 авг 2020, В : Journal of Physics Condensed Matter. 32, 43, 13 стр., 435501.

    Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

  • Optical gain and stimulated emission in optically pumped heavily doped Al0.74Ga0.26N:Si structures with external cavity

    Bokhan, P. A., Fateev, N. V., Malin, T. V., Osinnykh, I. V., Zakrevsky, D. E. & Zhuravlev, K. S., июл 2020, В : Optical Materials. 105, 5 стр., 109879.

    Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья