Фото Александр Андреевич Шкляев
  • Телефон+79130010085
  • Адрес электронной почтыa.shkliaev@nsu.ru
20172020

Результат исследований по году

Если Вы внесли какие-либо изменения в Pure, они скоро будут видимы здесь.

Личный профиль

научные интересы

Эксперт в областях: эпитаксиальный рост частиц германия и кремния, рост полупроводниковых слоёв, морфология поверхности германия/кремния, сканирующая туннельная микроскопия, двумерные фотонные кристаллы

Образование/академическая квалификация

Доктор наук, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

… → 2008

Кандидат наук, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

… → 1981

Внешние позиции

Ведущий научный сотрудник, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

Fingerprint Узнайте самые подробные результаты анализа активности Александр Андреевич Шкляев. Указанные в этом разделе метки относятся к работам этого человека. Вместе они формируют уникальную картину активности.

  • 5 Аналогичные профили

Сеть Последние внешние коллаборации на уровне страны. Узнайте подробнее, нажав точки.

Результат исследований

  • 16 статья
  • 5 статья по материалам конференции
  • 2 статья в сборнике материалов конференции
  • 1 глава/раздел

Atomic structure of high Miller index Si(47 35 7) surface

Zhachuk, R. A., Dolbak, A. E. & Shklyaev, A. A., мар 2020, В : Surface Science. 693, 5 стр., 121549.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

  • 1 Цитирования (Scopus)

    Effect of deposition conditions on the thermal stability of Ge layers on SiO2 and their dewetting behavior

    Dabard, C., Shklyaev, A. A., Armbrister, V. A. & Aseev, A. L., 1 янв 2020, В : Thin Solid Films. 693, 7 стр., 137681.

    Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

  • 2 Цитирования (Scopus)

    Formation of submicron- and micron-sized SiGe and Ge particles on Si substrates using dewetting

    Shklyaev, A. A., 23 апр 2020, В : Journal of Physics: Conference Series. 1461, 1, 3 стр., 012160.

    Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференции

    Открытый доступ
  • Low-temperature dissipation and its persistent photoinduced change in AlGaAs/GaAs-based nanomechanical resonators

    Shevyrin, A. A., Pogosov, A. G., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 3 фев 2020, В : Applied Physics Letters. 116, 5, 053104.

    Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

    Открытый доступ
  • Electromigration effect on the surface morphology during the Ge deposition on Si(1 1 1) at high temperatures

    Shklyaev, A. A. & Latyshev, A. V., 28 янв 2019, В : Applied Surface Science. 465, стр. 10-14 5 стр.

    Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

  • 5 Цитирования (Scopus)