Публикации за год
Публикации за год
Личный профиль
научные интересы
Эксперт в областях: эпитаксиальный рост частиц германия и кремния, рост полупроводниковых слоёв, морфология поверхности германия/кремния, сканирующая туннельная микроскопия, двумерные фотонные кристаллы
Образование/академическая квалификация
Доктор наук, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
… → 2008
Кандидат наук, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
… → 1981
Внешние позиции
Ведущий научный сотрудник, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
Fingerprint
Узнайте самые подробные результаты анализа активности Александр Андреевич Шкляев. Указанные в этом разделе метки относятся к работам этого человека. Вместе они формируют уникальную картину активности.
- 7 Аналогичные профили
Сеть
Последние внешние коллаборации на уровне страны. Узнайте подробнее, нажав точки.
Результат исследований
-
Crossing and anticrossing of 1D subbands in a quantum point contact with in-plane side gates
Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 4 янв 2021, В : Applied Physics Letters. 118, 1, 012104.Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование
Открытый доступ -
Atomic structure of high Miller index Si(47 35 7) surface
Zhachuk, R. A., Dolbak, A. E. & Shklyaev, A. A., мар 2020, В : Surface Science. 693, 5 стр., 121549.Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование
1 Цитирования (Scopus) -
Dependence of light reflection of germanium Mie nanoresonators on their aspect ratio
Utkin, D. E., Anikin, K. V., Veber, S. L. & Shklyaev, A. A., ноя 2020, В : Optical Materials. 109, 5 стр., 110466.Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование
-
Double-Channel Electron Transport in Suspended Quantum Point Contacts with in-Plane Side Gates
Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., дек 2020, В : Semiconductors. 54, 12, стр. 1605-1610 6 стр.Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование
-
Effect of deposition conditions on the thermal stability of Ge layers on SiO2 and their dewetting behavior
Dabard, C., Shklyaev, A. A., Armbrister, V. A. & Aseev, A. L., 1 янв 2020, В : Thin Solid Films. 693, 7 стр., 137681.Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование
2 Цитирования (Scopus)