Латышев Александр Васильевич

академик РАН, Доктор физико-математических наук

20172020
Если Вы внесли какие-либо изменения в Pure, они скоро будут видимы здесь.

Отпечаток Узнайте самые подробные результаты анализа активности Александр Васильевич Латышев. Указанные в этом разделе метке относятся к действиям этого человека. Вместе они формируют уникальную картину его активности.

  • 8 Похожие профили
Nanoclusters Химические соединения
Nucleation Химические соединения
nucleation Физика и астрономия
Sublimation Химические соединения
Silicon Химические соединения
Electron microscopy Химические соединения
nanoclusters Физика и астрономия
sublimation Физика и астрономия

Сеть Недавняя внешняя коллаборация на уровне стран. Углубитесь в детали нажатием на точки.

Результат исследований 2017 2020

  • 37 статья
  • 5 глава/раздел
  • 2 статья по материалам конференции
  • 1 предисловие, научный комментарий, послесловие

2D island nucleation controlled by nanocluster diffusion during Si and Ge epitaxy on Si(1 1 1)-(7 × 7) surface at elevated temperatures

Petrov, A. S., Rogilo, D. I., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 1 фев 2020, В : Journal of Crystal Growth. 531, 6 стр., 125347.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

Nanoclusters
nanoclusters
Epitaxial growth
epitaxy
Nucleation

Etching of step-bunched Si(1 1 1) surface by Se molecular beam observed by in situ REM

Rogilo, D. I., Fedina, L. I., Ponomarev, S. A., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 1 янв 2020, В : Journal of Crystal Growth. 529, 125273.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

Molecular beams
molecular beams
Etching
etching
Vacancies
1 цитирование (Scopus)

Electromigration effect on the surface morphology during the Ge deposition on Si(1 1 1) at high temperatures

Shklyaev, A. A. & Latyshev, A. V., 28 янв 2019, В : Applied Surface Science. 465, стр. 10-14 5 стр.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

Electromigration
electromigration
Electric currents
Surface morphology
electric current

Electromigration Effect on Vacancy Islands Nucleation on Si(100) Surface during Sublimation

Sitnikov, S. V., Rodyakina, E. E. & Latyshev, A. V., 1 июн 2019, В : Semiconductors. 53, 6, стр. 795-799 5 стр.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

Electromigration
Sublimation
electromigration
sublimation
Vacancies

Evolution of Micropits on Large Terraces of the Si(111) Surface during High-Temperature Annealing

Petrov, A. S., Sitnikov, S. V., Kosolobov, S. S. & Latyshev, A. V., 1 апр 2019, В : Semiconductors. 53, 4, стр. 434-438 5 стр.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

surface temperature
Vacancies
Nucleation
nucleation
Annealing