Нет фото Александр Васильевич Латышев

Латышев Александр Васильевич

академик РАН, Доктор физико-математических наук

20172020

Результат исследований по году

Если Вы внесли какие-либо изменения в Pure, они скоро будут видимы здесь.

Fingerprint Узнайте самые подробные результаты анализа активности Александр Васильевич Латышев. Указанные в этом разделе метки относятся к работам этого человека. Вместе они формируют уникальную картину активности.

  • 8 Аналогичные профили

Сеть Последние внешние коллаборации на уровне страны. Узнайте подробнее, нажав точки.

Результат исследований

  • 37 статья
  • 5 глава/раздел
  • 3 статья по материалам конференции
  • 2 предисловие, научный комментарий, послесловие

2D island nucleation controlled by nanocluster diffusion during Si and Ge epitaxy on Si(1 1 1)-(7 × 7) surface at elevated temperatures

Petrov, A. S., Rogilo, D. I., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 1 фев 2020, В : Journal of Crystal Growth. 531, 6 стр., 125347.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

  • Arrays of Metal Nanostructures for Plasmon-enhanced Spectroscopy

    Milekhin, A. G., Kuznetsov, S. A., Rodyakina, E. E., Anikin, K. V., Milekhin, I. A., Veber, S. L., Latyshev, A. V. & Zahn, D. R. T., 23 апр 2020, В : Journal of Physics: Conference Series. 1461, 1, 012100.

    Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференции

    Открытый доступ
  • Etching of step-bunched Si(1 1 1) surface by Se molecular beam observed by in situ REM

    Rogilo, D. I., Fedina, L. I., Ponomarev, S. A., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 1 янв 2020, В : Journal of Crystal Growth. 529, 125273.

    Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

  • Electromigration effect on the surface morphology during the Ge deposition on Si(1 1 1) at high temperatures

    Shklyaev, A. A. & Latyshev, A. V., 28 янв 2019, В : Applied Surface Science. 465, стр. 10-14 5 стр.

    Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

  • 2 Цитирования (Scopus)

    Electromigration Effect on Vacancy Islands Nucleation on Si(100) Surface during Sublimation

    Sitnikov, S. V., Rodyakina, E. E. & Latyshev, A. V., 1 июн 2019, В : Semiconductors. 53, 6, стр. 795-799 5 стр.

    Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья