Лаборатория полупроводниковых и диэлектрических материалов ФФ

2022

Charge Transport in Nonstoichiometric SiO_x Obtained by Treatment of Thermal SiO₂ in Hydrogen Plasma of Electronic-Cyclotron Resonance

Переведенное название: Транспорт заряда в нестехиометрическом SiOx, полученном обработкой термического SiO2 в водородной плазме электронно-циклотронного резонансаIskhakzay, R. M. K., Kruchinin, V. N., Aliev, V. S., Gritsenko, V. A., Dementieva, E. V. & Zamoryanskaya, M. V., февр. 2022, В: Russian Microelectronics. 51, 1, стр. 24-35 12 стр., 3.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

Открытый доступ

Evolution of the atomic and electronic structures during nitridation of the Si(1 1 1) surface under ammonia flux

Mansurov, V., Galitsyn, Y., Malin, T., Teys, S., Milakhin, D. & Zhuravlev, K., 1 янв. 2022, В: Applied Surface Science. 571, 151276.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

Multiphonon trap ionization mechanism in amorphous SiN_x

Novikov, Y. N. & Gritsenko, V. A., 15 апр. 2022, В: Journal of Non-Crystalline Solids. 582, 121442.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

Nanosheet High Mobility SnO2-SnO Complementary TFTs for System-on-Display and Monolithic Three-Dimensional Integrated Circuit

Chin, A., Yen, T. J. & Gritsenko, V., 2022, В: Digest of Technical Papers - SID International Symposium. 53, S1, стр. 393-395 3 стр.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › рецензирование

Near-field infrared spectroscopy of SiO_x nanowires

Milekhin, I. A., Kozhukhov, A. S., Sheglov, D. V., Fedina, L. I., Milekhin, A. G., Latyshev, A. V. & Zahn, D. R. T., 15 мая 2022, В: Applied Surface Science. 584, 152583.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

Phonons in Core-Shell CdSe/CdS Nanoplatelets Studied by Vibrational Spectroscopies

Kurus, N. N., Milekhin, A. G., Sklyar, R. I., Saidzhonov, B. M., Vasiliev, R. B., Adichtchev, S. V., Surovtsev, N. V., Latyshev, A. V. & Zahn, D. R. T., 28 апр. 2022, В: Journal of Physical Chemistry C. 126, 16, стр. 7107-7116 10 стр.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

Remarkably High-Performance Nanosheet GeSn Thin-Film Transistor

Yen, T. J., Chin, A., Chan, W. K., Chen, H. Y. T. & Gritsenko, V., 1 янв. 2022, В: Nanomaterials. 12, 2, 261.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

Открытый доступ

Surface-Tip-enhanced Raman Scattering by CdSe Nanocrystals on Plasmonic Substrates

Milekhin, I. A., Milekhin, A. G. & Zahn, D. R. T., 1 июл. 2022, В: Nanomaterials. 12, 13, 2197.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › обзорная статья › рецензирование

Открытый доступ

2021

AlSb/InAs Heterostructures for Microwave Transistors

Sukhanov, M. A., Bakarov, A. K. & Zhuravlev, K. S., февр. 2021, В: Technical Physics Letters. 47, 2, стр. 139-142 4 стр.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

Analysis of the AlN phase transition on a sapphire surface within a universal 2D lattice gas model in MBE

Milakhin, D. S., Malin, T. V., Mansurov, V. G., Galitsyn, Y. G. & Zhuravlev, K. S., 15 апр. 2021, В: Journal of Physics: Conference Series. 1851, 1, 012005.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › рецензирование

Открытый доступ

Atomic Structure and Optical Properties of Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposited SiCOH Low-k Dielectric Film

Kruchinin, V. N., Volodin, V. A., Rykhlitskii, S. V., Gritsenko, V. A., Posvirin, I. P., Shi, X. & Baklanov, M. R., июн. 2021, В: Optics and Spectroscopy. 129, 6, стр. 645-651 7 стр.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

Bipolar conductivity in ferroelectric La:HfZrO films

Perevalov, T. V., Gismatulin, A. A., Gritsenko, V. A., Prosvirin, I. P., Mehmood, F., Mikolajick, T. & Schroeder, U., 28 июн. 2021, В: Applied Physics Letters. 118, 26, 262903.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

Borate nonlinear optical single crystal surface finishing by argon cluster ion sputtering

Korobeishchikov, N. G., Nikolaev, I. V., Atuchin, V. V., Prosvirin, I. P., Tolstogouzov, A., Pelenovich, V. & Fu, D. J., дек. 2021, В: Surfaces and Interfaces. 27, 101520.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

Charge Transport in Amorphous Silicon Nitride

Переведенное название: Транспорт заряда в аморфном нитриде кремнияNovikov, Y. N. & Gritsenko, V. A., окт. 2021, В: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 133, 4, стр. 488-493 6 стр., 13.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

Charge Transport Mechanism and Trap Origin in Methyl-Terminated Organosilicate Glass Low-κ Dielectrics

Perevalov, T. V., Gismatulin, A. A., Dolbak, A. E., Gritsenko, V. A., Trofimova, E. S., Pustovarov, V. A., Seregin, D. S., Vorotilov, K. A. & Baklanov, M. R., февр. 2021, В: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 218, 4, 7 стр., 2000654.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

1 Цитирования (Scopus)

Charge Transport Mechanism in Atomic Layer Deposited Oxygen-Deficient TaO_x Films

Gismatulin, A., Gritsenko, V., Perevalov, T., Kuzmichev, D., Chernikova, A. & Markeev, A., мар. 2021, В: Physica Status Solidi (B) Basic Research. 258, 3, 6 стр., 2000432.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

Charge transport mechanism in the forming-free memristor based on silicon nitride

Gismatulin, A. A., Kamaev, G. N., Kruchinin, V. N., Gritsenko, V. A., Orlov, O. M. & Chin, A., 28 янв. 2021, В: Scientific Reports. 11, 1, 2417.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

Открытый доступ

1 Цитирования (Scopus)

Charge transport mechanism in the metal–nitride–oxide–silicon forming-free memristor structure

Gismatulin, A. A., Orlov, O. M., Gritsenko, V. A. & Krasnikov, G. Y., янв. 2021, В: Chaos, Solitons and Fractals. 142, 110458.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

1 Цитирования (Scopus)

Crossing and anticrossing of 1D subbands in a quantum point contact with in-plane side gates

Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 4 янв. 2021, В: Applied Physics Letters. 118, 1, 5 стр., 012104.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

Открытый доступ

1 Цитирования (Scopus)

Cu₂ZnSnS₄crystal growth using an SnCl₂based flux

Kokh, K. A., Atuchin, V. V., Adichtchev, S. V., Gavrilova, T. A., Bakhadur, A. M., Klimov, A. O., Korolkov, I. V., Kuratieva, N. V., Mukherjee, S., Pervukhina, N. V. & Surovtsev, N. V., 28 янв. 2021, В: CrystEngComm. 23, 4, стр. 1025-1032 8 стр.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

1 Цитирования (Scopus)

Electron Spin Resonance in Heterostructures with Ring Molecules of GeSi Quantum Dots

Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Nenashev, A. V., Shklyaev, A. A., Kulik, L. V. & Dvurechenskii, A. V., янв. 2021, В: JETP Letters. 113, 1, стр. 52-56 5 стр.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

Exceedingly high performance top-gate p-type sno thin film transistor with a nanometer scale channel layer

Yen, T. J., Chin, A. & Gritsenko, V., янв. 2021, В: Nanomaterials. 11, 1, стр. 1-11 11 стр., 92.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

Открытый доступ

1 Цитирования (Scopus)

Exploration of the structural, spectroscopic and thermal properties of double sulfate monohydrate NaSm(SO₄)₂·H₂O and its thermal decomposition product NaSm(SO₄)₂

Denisenko, Y. G., Sedykh, A. E., Basova, S. A., Atuchin, V. V., Molokeev, M. S., Aleksandrovsky, A. S., Krylov, A. S., Oreshonkov, A. S., Khritokhin, N. A., Sal'nikova, E. I., Andreev, O. V. & Müller-Buschbaum, K., нояб. 2021, В: Advanced Powder Technology. 32, 11, стр. 3943-3953 11 стр.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

Fabrication of Au and Ag – Coated AFM probes for tip-enhanced raman spectroscopy

Basalaeva, L. S., Kurus, N. N., Rodyakina, E. E., Anikin, K. V. & Milekhin, A. G., 17 нояб. 2021, В: Journal of Physics: Conference Series. 2015, 1, 012013.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › рецензирование

Открытый доступ

Growth of Bi₂Se₃/graphene heterostructures with the room temperature high carrier mobility

Antonova, I. V., Nebogatikova, N. A., Stepina, N. P., Volodin, V. A., Kirienko, V. V., Rybin, M. G., Obrazstova, E. D., Golyashov, V. A., Kokh, K. A. & Tereshchenko, O. E., мая 2021, В: Journal of Materials Science. 56, 15, стр. 9330–9343 14 стр.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

1 Цитирования (Scopus)

High mobility oxide complementary tfts for system-on-display and three-dimensional brain-mimicking ic

Chin, A., Yen, T. J., Chen, Y. D., Shih, C. W. & Gritsenko, V., 2021, В: Digest of Technical Papers - SID International Symposium. 52, S1, стр. 292-294 3 стр.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › рецензирование

Открытый доступ

High-Power Microwave Photodiodes Based on MBE-Grown InAlAs/InGaAs Heterostructures

Zhuravlev, K. S., Gilinskii, A. M., Chistokhin, I. B., Valisheva, N. A., Dmitriev, D. V., Toropov, A. I., Aksenov, M. S., Chizh, A. L. & Mikitchuk, K. B., сент. 2021, В: Technical Physics. 66, 9, стр. 1072-1077 6 стр., 34.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

Improved device distribution in high-performance sinx resistive random access memory via arsenic ion implantation

Yen, T. J., Chin, A. & Gritsenko, V., июн. 2021, В: Nanomaterials. 11, 6, 1401.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

Открытый доступ

1 Цитирования (Scopus)

InAs Islands Formation on the InP(001) during High-Temperature Annealing in an As Flux

Kolosovsky, D., Dmitriev, D., Gavrilova, T., Toropov, A., Kozhukhov, A. & Zhuravlev, K., 30 июн. 2021, 2021 IEEE 22nd International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials, EDM 2021 - Proceedings. IEEE Computer Society, стр. 17-21 5 стр. 9507627. (International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM; том 2021-June).

Результат исследования: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › рецензирование

Investigation of the phonon spectra in CdSe/CdS nanoplatelets by raman spectroscopy

Kurus, N. N., Milekhin, A. G., Vasiliev, R. B., Saidzhonov, B. M., Anikin, K. V., Sklyar, R. I., Batsanov, S. A., Gutakoskii, A. K., Latyshev, A. V. & Zahn, D. R. T., 17 нояб. 2021, В: Journal of Physics: Conference Series. 2015, 1, 012076.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › рецензирование

Открытый доступ

Light Emission by Monolayers of Molybdenum Disulfide

Переведенное название: Эмиссия света монослоями дисульфида молибденаMarchenko, A. V., Kurus, N. N., Kolosvetov, A. A. & Milekhin, A. G., сент. 2021, В: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 57, 5, стр. 532-538 7 стр., 12.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

Memory Properties of SiO_x- and SiN_x-Based Memristors

Gritsenko, V. A., Gismatulin, A. A. & Orlov, O. M., нояб. 2021, В: Nanobiotechnology reports. 16, 6, стр. 722-731 10 стр.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › обзорная статья › рецензирование

Mg₃N₂ nanocrystallites formation during the GaN:Mg layers growth by the NH₃-MBE technique

Malin, T. V., Mansurov, V. G., Galitsyn, Y. G., Milakhin, D. S., Protasov, D. Y., Ber, B. Y., Kazantsev, D. Y., Ratnikov, V. V., Shcheglov, M. P., Smirnov, A. N., Davydov, V. Y. & Zhuravlev, K. S., 15 янв. 2021, В: Journal of Crystal Growth. 554, 8 стр., 125963.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

Negative thermal expansion in one-dimension of a new double sulfate AgHo(SO₄)₂ with isolated SO₄ tetrahedra

Denisenko, Y. G., Atuchin, V. V., Molokeev, M. S., Wang, N., Jiang, X., Aleksandrovsky, A. S., Krylov, A. S., Oreshonkov, A. S., Sedykh, A. E., Volkova, S. S., Lin, Z., Andreev, O. V. & Müller-Buschbaum, K., 20 июн. 2021, В: Journal of Materials Science and Technology. 76, стр. 111-121 11 стр.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

8 Цитирования (Scopus)

Oxygen vacancies in zirconium oxide as the blue luminescence centres and traps responsible for charge transport: Part I—Crystals

Islamov, D. R., Gritsenko, V. A., Perevalov, T. V., Yelisseyev, A. P., Pustovarov, V. A., Korolkov, I. V. & Lomonova, E. E., мар. 2021, В: Materialia. 15, 100979.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

2 Цитирования (Scopus)

Oxygen vacancies in zirconium oxide as the blue luminescence centres and traps responsible for charge transport: Part II—Films

Islamov, D. R., Gritsenko, V. A., Perevalov, T. V., Aliev, V. S., Nadolinny, V. A. & Chin, A., мар. 2021, В: Materialia. 15, 100980.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

1 Цитирования (Scopus)

Peculiarities of the AlN crystalline phase formation in a result of the electron-stimulated reconstruction transition (√31×√31)R ± 9° − (1 × 1)

Milakhin, D. S., Malin, T. V., Mansurov, V. G., Galitsyn, Y. G., Kozhukhov, A. S., Utkin, D. E. & Zhuravlev, K. S., 1 мар. 2021, В: Applied Surface Science. 541, 148548.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

Plasmon Enhancement of Emission and Absorption by CdSe-based Nanocrystals

Milekhin, A., Rahaman, M., Milekhin, I., Basalaeva, L., Duda, T., Rodyakina, E., Anikin, K., Vasiliev, R., Kuznetsov, S. A., Latyshev, A. & Zahn, D., 2021, 2021 46th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz 2021. IEEE Computer Society, (International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz; том 2021-August).

Результат исследования: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › рецензирование

Substitution of Phosphorus at the InP(001) Surface Upon Annealing in an Arsenic Flux

Dmitriev, D. V., Kolosovsky, D. A., Fedosenko, E. V., Toropov, A. I. & Zhuravlev, K. S., нояб. 2021, В: Semiconductors. 55, 11, стр. 823-827 5 стр.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

The atomic and electronic structure of Hf0.5Zr0.5O2 and Hf0.5Zr0.5O2: La films

Perevalov, T., Prosvirin, I. P., Suprun, E. A., Mehmood, F., Mikolajick, T., Schroeder, U. & Gritsenko, V. A., дек. 2021, В: Journal of science-Advanced materials and devices. 6, 4, стр. 595-600 6 стр.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

Открытый доступ

The effect of barrier layers on 2D electron effective mass in Al_0.3Ga_0.7N/AlN/GaN heterostructures

Sonmez, F., Ardali, S., Lisesivdin, S. B., Malin, T., Mansurov, V., Zhuravlev, K. & Tiras, E., июн. 2021, В: Journal of Physics Condensed Matter. 33, 25, 255501.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

1 Цитирования (Scopus)

The effect of passivation layer, doping and spacer layer on electron- longitudinal optical phonon momentum relaxation time in Al_0.3Ga_0.7N/AlN/GaN heterostructures

Sonmez, F., Ardali, S., Atmaca, G., Lisesivdin, S. B., Malin, T., Mansurov, V., Zhuravlev, K. & Tiras, E., февр. 2021, В: Materials Science in Semiconductor Processing. 122, 8 стр., 105449.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

1 Цитирования (Scopus)

Transformation of the InP(001) surface upon annealing in an arsenic flux

Dmitriev, D. V., Kolosovsky, D. A., Gavrilova, T. A., Gutakovskii, A. K., Toropov, A. I. & Zhuravlev, K. S., авг. 2021, В: Surface Science. 710, 121861.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

Новый тип оптического сенсора в структуре кремний на изоляторе

Царев, А. В., 2021, Фотоника 2021: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) Новосибирск, 04-08 октября 2021 г.. Новосибирск: Издательство "Наука". Сибирское отделение, стр. 63 1 стр. 36

Результат исследования: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › рецензирование

Открытый доступ

2020

Acoustic Phonons in Periodical GeSiSn/Si Nanostructures

Anikin, K. V., Timofeev, V. A., Solonenko, D., Nikiforov, A. I., Milekhin, A. G. & Zahn, D. R. T., 1 мар. 2020, В: Journal of Physics: Conference Series. 1461, 1, 7 стр., 012005.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › рецензирование

Открытый доступ

AlInSb/InSb Heterostructures for IR Photodetectors Grown by Molecular-Beam Epitaxy

Sukhanov, M. A., Bakarov, A. K., Protasov, D. Y. & Zhuravlev, K. S., 1 февр. 2020, В: Technical Physics Letters. 46, 2, стр. 154-157 4 стр.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

Antimicrobial potential of ZnO, TiO₂ and SiO₂ nanoparticles in protecting building materials from biodegradation

Dyshlyuk, L., Babich, O., Ivanova, S., Vasilchenco, N., Atuchin, V., Korolkov, I., Russakov, D. & Prosekov, A., 1 янв. 2020, В: International Biodeterioration and Biodegradation. 146, 8 стр., 104821.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

25 Цитирования (Scopus)

Arrays of Metal Nanostructures for Plasmon-enhanced Spectroscopy

Milekhin, A. G., Kuznetsov, S. A., Rodyakina, E. E., Anikin, K. V., Milekhin, I. A., Veber, S. L., Latyshev, A. V. & Zahn, D. R. T., 23 апр. 2020, В: Journal of Physics: Conference Series. 1461, 1, 4 стр., 012100.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › рецензирование

Открытый доступ

Atomic and Electronic Structure of SiO_x Films Obtained with Hydrogen Electron Cyclotron Resonance Plasma

Perevalov, T. V., Iskhakzai, R. M. K., Aliev, V. S., Gritsenko, V. A. & Prosvirin, I. P., дек. 2020, В: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 131, 6, стр. 940-944 5 стр.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

Atomic structure of high Miller index Si(47 35 7) surface

Zhachuk, R. A., Dolbak, A. E. & Shklyaev, A. A., мар. 2020, В: Surface Science. 693, 5 стр., 121549.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья › рецензирование

2 Цитирования (Scopus)

Лаборатория полупроводниковых и диэлектрических материалов ФФ

Результат исследований

Поиск результатов