Отпечаток Узнайте самые подробные результаты анализа активности Лаборатория наносверхпроводимости ФФ. Указанные в этом разделе метки относятся к действиям этих участников организации. Вместе они формируют уникальную картину их активности.

Silicon Химические соединения
silicon Физика и астрономия
nanocrystals Физика и астрономия
Nucleation Химические соединения
nucleation Физика и астрономия
Nanocrystals Технические дисциплины и материаловедение
Heterojunctions Технические дисциплины и материаловедение
Temperature Технические дисциплины и материаловедение

Сеть Недавняя внешняя коллаборация на уровне стран. Углубитесь в детали нажатием на точки.

Результат исследований 2017 2020

  • 71 статья
  • 2 глава/раздел
  • 2 статья в сборнике материалов конференции
  • 1 статья по материалам конференции

Effect of Sn for the dislocation-free SiSn nanostructure formation on the vapor-liquid-crystal mechanism

Timofeev, V., Mashanov, V., Nikiforov, A., Skvortsov, I., Gavrilova, T., Gulyaev, D., Gutakovskii, A. & Chetyrin, I., 1 янв 2020, В : AIP Advances. 10, 1, 015309.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

Открытый доступ
liquid crystals
vapors
tin
silicon
photoluminescence

Etching of step-bunched Si(1 1 1) surface by Se molecular beam observed by in situ REM

Rogilo, D. I., Fedina, L. I., Ponomarev, S. A., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 1 янв 2020, В : Journal of Crystal Growth. 529, 125273.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

Molecular beams
molecular beams
Etching
etching
Vacancies

Fabrication of polycrystalline silicon thin films from a-SiOx via the inverted aluminum-induced layer exchange process

Zamchiy, A. O., Baranov, E. A., Maximovskiy, E. A., Volodin, V. A., Vdovin, V. I., Gutakovskii, A. K. & Korolkov, I. V., 15 фев 2020, В : Materials Letters. 261, 4 стр., 127086.

Результат исследования: Научные публикации в периодических изданияхстатья

Aluminum
Polysilicon
aluminum
Fabrication
Thin films