Результаты исследований за год
Отпечаток Узнайте самые подробные результаты анализа активности Аналитический и технологический исследовательский центр "Высокие технологии и наноструктурированные материалы" ФФ. Указанные в этом разделе метки относятся к действиям этих участников организации. Вместе они формируют уникальную картину их активности.
Silicon
Химические соединения
Catalysts
Технические дисциплины и материаловедение
Nickel
Химические соединения
Crystallization
Химические соединения
Nanoclusters
Технические дисциплины и материаловедение
silicon
Физика и астрономия
Substrates
Технические дисциплины и материаловедение
synthesis gas
Физика и астрономия
Сеть
Недавняя внешняя коллаборация на уровне стран. Углубитесь в детали нажатием на точки.
Профили
Азаров Иван Алексеевич
- Физический факультет, Аналитический и технологический исследовательский центр "Высокие технологии и наноструктурированные материалы" ФФ - Младший научный сотрудник
Лицо: Научный
Антоненко Александр Харитонович
- Физический факультет, Аналитический и технологический исследовательский центр "Высокие технологии и наноструктурированные материалы" ФФ - ответственный за оборудование в ВКИ
Лицо: НВ
Аржанников Андрей Васильевич
- Физический факультет, Аналитический и технологический исследовательский центр "Высокие технологии и наноструктурированные материалы" ФФ - Главный научный сотрудник
- Физический факультет, Кафедра физики плазмы ФФ - Профессор
Лицо: Научный, ППС
Результат исследований 2017 2020
Atomic structure of high Miller index Si(47 35 7) surface
Zhachuk, R. A., Dolbak, A. E. & Shklyaev, A. A., мар 2020, В : Surface Science. 693, 121549.Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья
atomic structure
Scanning tunneling microscopy
scanning tunneling microscopy
Low energy electron diffraction
Density functional theory
Effect of deposition conditions on the thermal stability of Ge layers on SiO2 and their dewetting behavior
Dabard, C., Shklyaev, A. A., Armbrister, V. A. & Aseev, A. L., 1 янв 2020, В : Thin Solid Films. 693, 7 стр., 137681.Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья
Light scattering
drying
Contact angle
Solidification
Electron beams
Electronic structure and nanoscale potential fluctuations in strongly nonstoichiometric PECVD SiOx
Perevalov, T. V., Volodin, V. A., Kamaev, G. N., Krivyakin, G. K., Gritsenko, V. A. & Prosvirin, I. P., 1 фев 2020, В : Journal of Non-Crystalline Solids. 529, 119796.Результат исследования: Научные публикации в периодических изданиях › статья
Plasma enhanced chemical vapor deposition
Electronic structure
electronic structure
Silicon
Oxygen supply