Исследование механизма пассивации поверхности InAs(111)A фторсодержащими анодными слоями

Student thesis: Science thesisDoctoral Thesis

Abstract

Date of Award18 Jun 2019
Original languageRussian
Awarding Institution
  • Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of the Siberian Branch of the RAS
SupervisorОлег Евгеньевич Терещенко (Supervisor)

Cite this

'