Способ выращивания монокристаллов Ga2O3 из раствора в расплаве

Research output: Patent › Know-how

State classification of scientific and technological information

@misc{00bb103137434479ba3017d42a7cb85c,

title = "Способ выращивания монокристаллов Ga2O3 из раствора в расплаве",

keywords = "РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ, РАСТВОР-РАСПЛАВНАЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ, ОКСИД ГАЛЛИЯ",

author = "Галашов, {Евгений Николаевич} and Галашов, {Арсений Евгеньевич} and Московских, {Виталий Анатольевич}",

year = "2019",

month = dec,

day = "17",

language = "русский",

publisher = "Новосибирский государственный университет",

address = "Российская Федерация",

type = "Patent",

note = "33",

}

Новосибирский государственный университет. Patent No.: 33. Dec 17, 2019.

Research output: Patent › Know-how

TY - PAT

T1 - Способ выращивания монокристаллов Ga2O3 из раствора в расплаве

AU - Галашов, Евгений Николаевич

AU - Галашов, Арсений Евгеньевич

AU - Московских, Виталий Анатольевич

PY - 2019/12/17

Y1 - 2019/12/17

KW - РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ

KW - РАСТВОР-РАСПЛАВНАЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ

KW - ОКСИД ГАЛЛИЯ

M3 - свидетельство о регистрации ноу-хау

M1 - 33

PB - Новосибирский государственный университет

ER -