Компенсированный высокоомный буфер для GaN HEMT

T. V. Malin, D. S. Milakhin, Ivan A. Aleksandrov, V. E. Zemlyakov, D. Yu Protasov, A. S. Kozhuhov, B. Ya Ber, V. G. Mansurov, Константин Сергеевич Журавлев

Research output: Contribution to journalMeeting Abstractpeer-review

Abstract

В данной работе продемонстрирована возможность получения методом аммиачной молекулярно лучевой эпитаксией намеренно нелегированных высокоомных буферных слоёв GaN в AlGaN/GaN гетероструктурах с высокой подвижностью электронов для транзисторов путём оптимизации ростовых условий на основании расчётов концентраций фоновых примесей и точечных дефектов для различных соотношений потоков галлия и аммиака
Original languageRussian
Pages (from-to)44-48
Number of pages5
JournalЭлектроника и микроэлектроника СВЧ»
Volume1
Issue number1
Publication statusPublished - 2019

State classification of scientific and technological information

  • 29 PHYSICS

Cite this